2023-06-22 03:30:24 來源 : 快科技
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6月21日消息，由于半導體工藝越來越復雜，摩爾定律10多年來一直被認為放緩甚至失效，10nm以下制造難度加大，未來10年還要進入1nm以下節(jié)點，迫切需要更先進的技術。
在這個領域，英特爾率先在22nm節(jié)點進入FinFET晶體管時代，在20A、18A節(jié)點上則使用了RibbonFET和PowerVia兩項新技術，再往后又需要改變晶體管結(jié)構(gòu)了，英特爾的目標是全新的2D TMD材料。
其中的2D指的是單層原子組成的結(jié)晶體，TMD則是過渡金屬二硫化物的簡稱，具體包括二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）和二硒化鎢（WSe2）等材料，這些新材料可實現(xiàn)小于1nm的溝槽厚度，同時具有更好的帶隙和遷移率，也就是高性能、低功耗優(yōu)勢。
制備2D TMD材料并不容易，為此英特爾日前宣布跟歐洲CEA-Leti達成合作協(xié)議，開發(fā)300mm晶圓上的2D TMD層轉(zhuǎn)移技術，后者是這方面的專家，可提供專業(yè)的鍵合及層轉(zhuǎn)移技術支持，便于英特爾制造出最終的硅基芯片。
