2023-06-26 10:05:21 來源 : 互聯(lián)網
(相關資料圖)
對于導電性能不好的樣品如半導體材料，絕緣體薄膜，在電子束的作用下。
其表面會產生一定的負電荷積累，這就是俄歇電子能譜中的荷電效應·樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓， 使得測得的俄歇動能比正常的要低·在俄歇電子能譜中。
由于電子束的束流密度很高，樣品荷電是一個很嚴重的問題·有些導電性不好的樣品，經常因為荷電嚴重而不能獲得俄歇譜·但由于高能電子的穿透能力以及樣品表面二次電子的發(fā)射作用。
對于一般在100nm厚度以下的絕緣體薄膜，如果基體材料能導電的話，其荷電效應幾乎可以自身消除·因此。
對于一般的薄膜樣品，一般不用考慮其荷電效應·。
本文到此結束，希望對大家有所幫助。
免責聲明：本文由用戶上傳，如有侵權請聯(lián)系刪除！
